大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内="半导体突发！中国出手：停止采购(gòu)！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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